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vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測器(0.5um-11um)
PEM系列(2-12μm紅外光電磁探測器、光平直入浸式)
特點:室溫下工作;無需偏置;光譜范圍(2-12µm);D*(10.6 µm)達到2*107cmHz1/2/W;響應時間≤1ns;無閃動噪聲;從直流到高頻工作;重量輕,耐用可靠;低成本;可根據客戶要求設計。
描述:PEM系列經過優(yōu)化使得在波長為10.6微米可以達到*的使用狀態(tài)。PEM1使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標準)或者半球透鏡(可選)進行光浸入。探測器由(Hg-Cd-Zn-Te)半導體經過成分選擇和摻雜面處理而獲得,微型永磁鐵提供非常強的磁場。PEM系列的探測器非常適合10.6微米輻射的外差探測。無閃動噪音,在整個2-12 µm光譜范圍內可以同時用于CW和低頻調制輻射。可以按客戶定制器件的要求提供如單個各種規(guī)格的元件、四象限單元、多元件陣列、特定封裝和連接器。vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測器(0.5um-11um)
詳細規(guī)格:
特性(@ 20ºC) | 單位 | PEM-10.6 | PEMI-10.6 |
*特性波長λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥1.5E7 ≥4E6 | ≥8E7 ≥2E7 |
電阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
響應時間τ | ns | ≤1 | ≤1 |
電阻 | Ω | 40-100 | 40-100 |
光學面積(長×寬) 或直徑(圓形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場, F/# | deg | 60,0.5 38,1.65 |