短波紅外相機可進行半導體材料(如太陽能板)進行內部的檢測。也即可以應用于硅錠探傷,硅錠內雜質的檢查和硅片的隱裂檢測。
短波紅外相機主要具有以下特點:
1、高識別度:短波紅外SWIR成像主要基于目標反射光成像原理,其成像與可見光灰度圖像特征相似,成像對比度高,目標細節(jié)表達清晰,在目標識別方面,SWIR成像是熱成像技術的重要補充;
2、全天候適應:短波紅外SWIR成像受大氣散射作用小,透霧、霾、煙塵能力較強,有效探測距離遠,對氣候條件和戰(zhàn)場環(huán)境的適應性明顯優(yōu)于可見光成像;
3、微光夜視:在大氣輝光的夜視條件下,光子輻照度主要分布在1.0~1.8μm的SWIR波段范圍內,這使得SWIR夜視成像相比于可見光夜視成像而言具有顯著的先天優(yōu)勢;
4、隱秘主動成像:在0.9~1.7μm波段內,激光光源技術成熟(1.06μm、1.55μm),這使得短波紅外成像在隱秘主動成像應用中具有顯著的對比優(yōu)勢;
5、光學配置簡便:從光學上,玻璃光窗在SWIR波段范圍內具有很高的透過率,這賦予SWIR成像一個重要的技術優(yōu)點,這允許SWIR相機可裝配于一個保護窗口內實現高靈敏成像,當應用于某種特定平臺或場合時,這將提供極大的靈活性。